Vishay Siliconix SI7844DP-T1-E3

SI7844DP-T1-E3 Supplier & Distributor

SI7844DP-T1-E3 is an electronic component manufactured by Vishay Siliconix. We are a professional electronic components supplier providing original parts with large stock available in Shenzhen Huaqiangbei.

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Teilenr.:
SI7844DP-T1-E3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
PowerPAK® SO-8 Dual
Datenblatt:
TomatoElecSI7844DP-T1-E3.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO8
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SI7844DP-T1-E3 Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Vishay Siliconix
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
PowerPAK® SO-8 Dual
Verpackung:
Cut Tape (CT)
Produktstatus:
Obsolete
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion:
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):
30V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
6.4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
22mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Leistung – Max:
1.4W
Betriebstemperatur:
-
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
PowerPAK® SO-8 Dual
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. SI7844DP-T1-E3 SI7844DP-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Serie - -
Verpackung/Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual
Verpackung Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)
Produktstatus Obsolete Obsolete
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 6.4A 6.4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 10A, 10V 22mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V 20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - -
Leistung – Max 1.4W 1.4W
Betriebstemperatur - -
Klasse - -
Qualifizierung - -
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lieferant Gerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual

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