Vishay Siliconix SI6983DQ-T1-E3

SI6983DQ-T1-E3 Supplier & Distributor

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Teilenr.:
SI6983DQ-T1-E3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP
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SI6983DQ-T1-E3 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Vishay Siliconix
Serie:
TrenchFET®
Verpackung/Gehäuse:
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Obsolete
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion:
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):
20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
4.6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
24mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 400µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
30nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Leistung – Max:
830mW
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
8-TSSOP
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Serie TrenchFET® TrenchFET®
Verpackung/Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Verpackung Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Produktstatus Obsolete Obsolete
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 4.6A 4.6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 5.4A, 4.5V 24mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 400µA 1V @ 400µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 4.5V 30nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - -
Leistung – Max 830mW 830mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse - -
Qualifizierung - -
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 8-TSSOP 8-TSSOP

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