Vishay Siliconix SI5517DU-T1-E3

SI5517DU-T1-E3 Supplier & Distributor

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SI5517DU-T1-E3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Datenblatt:
TomatoElecSI5517DU-T1-E3.pdf
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
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SI5517DU-T1-E3 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Vishay Siliconix
Serie:
TrenchFET®
Verpackung/Gehäuse:
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Obsolete
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
N and P-Channel
FET-Funktion:
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):
20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
39mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
16nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
520pF @ 10V
Leistung – Max:
8.3W
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
PowerPAK® ChipFet Dual
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Serie TrenchFET® TrenchFET®
Verpackung/Gehäuse PowerPAK® ChipFET™ Dual PowerPAK® ChipFET™ Dual
Verpackung Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Produktstatus Obsolete Obsolete
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 6A 6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 4.4A, 4.5V 39mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 8V 16nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 10V 520pF @ 10V
Leistung – Max 8.3W 8.3W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse - -
Qualifizierung - -
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lieferant Gerätepaket PowerPAK® ChipFet Dual PowerPAK® ChipFet Dual

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