Microchip Technology SG2023J-883B

SG2023J-883B Supplier & Distributor

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Teilenr.:
SG2023J-883B
Hersteller:
Microchip Technology
Kategorie:
Bipolartransistor-Arrays
Gehäuse:
-
Datenblatt:
TomatoElecSG2023J-883B.pdf
Beschreibung:
TRANS 7NPN DARL 95V 500MA 16CDIP
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SG2023J-883B Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Microchip Technology
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
-
Verpackung:
Bulk
Produktstatus:
Active
Transistortyp:
7 NPN Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (Max):
500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
95V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
1.6V @ 500µA, 350mA
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
-
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
1000 @ 350mA, 2V
Leistung – Max:
-
Frequenz - Übergang:
-
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Through Hole
Lieferant Gerätepaket:
16-CDIP
Kategorie:
Bipolartransistor-Arrays
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Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Serie - - -
Verpackung/Gehäuse - 16-CDIP (0.300", 7.62mm) 16-CDIP (0.300", 7.62mm)
Verpackung Bulk Tube Tray
Produktstatus Active Active Active
Transistortyp 7 NPN Darlington 7 NPN Darlington 7 NPN Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 500mA 500mA 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) 95V 95V 95V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA 1.6V @ 500µA, 350mA 1.6V @ 500µA, 350mA
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max) - - -
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V 1000 @ 350mA, 2V 1000 @ 350mA, 2V
Leistung – Max - - -
Frequenz - Übergang - - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 125°C (TA)
Klasse - - -
Qualifizierung - - -
Montageart Through Hole Through Hole Through Hole
Lieferant Gerätepaket 16-CDIP 16-CDIP 16-CERDIP

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