Linear Integrated Systems, Inc. SD5000N PDIP 16L ROHS

SD5000N PDIP 16L ROHS Supplier & Distributor

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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
SD5000N PDIP 16L ROHS
Hersteller:
Linear Integrated Systems, Inc.
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
16-DIP (0.300", 7.62mm)
Datenblatt:
TomatoElecSD5000N PDIP 16L ROHS.pdf
Beschreibung:
MOSFET 4N-CH 20V 0.05A 16DIP
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SD5000N PDIP 16L ROHS Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Linear Integrated Systems, Inc.
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
16-DIP (0.300", 7.62mm)
Verpackung:
Produktstatus:
Obsolete
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
4 N-Channel
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
50mA (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
70Ohm @ 1mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.5V @ 1µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Leistung – Max:
500mW (Ta)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Through Hole
Lieferant Gerätepaket:
16-DIP
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Hersteller Linear Integrated Systems, Inc.
Serie -
Verpackung/Gehäuse 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Verpackung
Produktstatus Obsolete
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 4 N-Channel
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 50mA (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 70Ohm @ 1mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Leistung – Max 500mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Through Hole
Lieferant Gerätepaket 16-DIP

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