Toshiba Semiconductor and Storage RN1101,LF(CT

RN1101,LF(CT Supplier & Distributor

RN1101,LF(CT is an electronic component from Toshiba Semiconductor and Storage. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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  • In-stock inventory checking
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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
RN1101,LF(CT
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Kategorie:
Einzelne, vorgespannte Bipolartransistoren
Gehäuse:
SC-75, SOT-416
Datenblatt:
TomatoElecRN1101,LF(CT.pdf
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
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RN1101,LF(CT Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
SC-75, SOT-416
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Transistortyp:
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (Max):
100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
50 V
Widerstand - Basis (R1):
4.7 kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
4.7 kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
30 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
500nA
Frequenz - Übergang:
250 MHz
Leistung – Max:
100 mW
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
SSM
Kategorie:
Einzelne, vorgespannte Bipolartransistoren
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Teilenr. RN1101,LF(CT RN1101MFV,L3F(CT RN1101MFV,L3XHF(CT RN1101,LXHF(CT RN1101MFV,L3F
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage
Serie - - - - -
Verpackung/Gehäuse SC-75, SOT-416 SOT-723 SOT-723 SC-75, SOT-416 SOT-723
Verpackung Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active Active Active Active Not For New Designs
Transistortyp NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 4.7 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V 30 @ 10mA, 5V 30 @ 10mA, 5V 30 @ 10mA, 5V 30 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 500µA, 5mA 300mV @ 500µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 500µA, 5mA
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA 500nA
Frequenz - Übergang 250 MHz - - 250 MHz -
Leistung – Max 100 mW 150 mW 150 mW 100 mW 150 mW
Klasse - - Automotive Automotive -
Qualifizierung - - AEC-Q101 AEC-Q101 -
Montageart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Lieferant Gerätepaket SSM VESM VESM SSM VESM

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