Rohm Semiconductor QS8M12TCR

QS8M12TCR Supplier & Distributor

QS8M12TCR is an electronic component manufactured by Rohm Semiconductor. We are a professional electronic components supplier providing original parts with large stock available in Shenzhen Huaqiangbei.

We supply QS8M12TCR with competitive pricing, fast global delivery and reliable sourcing services for OEM, EMS and electronic trading companies.

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QS8M12TCR
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
8-SMD, Flat Leads
Datenblatt:
TomatoElecQS8M12TCR.pdf
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
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About QS8M12TCR

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QS8M12TCR Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Rohm Semiconductor
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
8-SMD, Flat Leads
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Not For New Designs
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
N and P-Channel
FET-Funktion:
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):
30V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
42mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
3.4nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
250pF @ 10V
Leistung – Max:
1.5W
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
TSMT8
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. QS8M12TCR
Hersteller Rohm Semiconductor
Serie -
Verpackung/Gehäuse 8-SMD, Flat Leads
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Not For New Designs
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 3.4nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 10V
Leistung – Max 1.5W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket TSMT8

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