NXP USA Inc. PMWD26UN,518

PMWD26UN,518 Supplier & Distributor

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PMWD26UN,518
Hersteller:
NXP USA Inc.
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Datenblatt:
TomatoElecPMWD26UN,518.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP
Menge:

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PMWD26UN,518 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
NXP USA Inc.
Serie:
TrenchMOS™
Verpackung/Gehäuse:
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Obsolete
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion:
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):
20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
7.8A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
30mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
700mV @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
23.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1366pF @ 16V
Leistung – Max:
3.1W
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
8-TSSOP
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Hersteller NXP USA Inc.
Serie TrenchMOS™
Verpackung/Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Obsolete
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 7.8A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 23.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1366pF @ 16V
Leistung – Max 3.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 8-TSSOP

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