NXP USA Inc. PMDPB95XNE2115

PMDPB95XNE2115 Supplier & Distributor

PMDPB95XNE2115 is an electronic component from NXP USA Inc.. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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  • Original component sourcing support
  • In-stock inventory checking
  • RFQ and availability confirmation
  • BOM sourcing and bulk order support
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PMDPB95XNE2115
Hersteller:
NXP USA Inc.
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
6-UDFN Exposed Pad
Datenblatt:
TomatoElecPMDPB95XNE2115.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 2.7A 6HUSON
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PMDPB95XNE2115 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
NXP USA Inc.
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
6-UDFN Exposed Pad
Verpackung:
Bulk
Produktstatus:
Active
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
30V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
2.7A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
99mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.25V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
4.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
258pF @ 15V
Leistung – Max:
510mW (Ta), 8.33W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
6-HUSON (2x2)
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. PMDPB95XNE2115
Hersteller NXP USA Inc.
Serie -
Verpackung/Gehäuse 6-UDFN Exposed Pad
Verpackung Bulk
Produktstatus Active
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 2.7A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 258pF @ 15V
Leistung – Max 510mW (Ta), 8.33W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 6-HUSON (2x2)

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