NXP USA Inc. PDTD114EU135

PDTD114EU135 Supplier & Distributor

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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
PDTD114EU135
Hersteller:
NXP USA Inc.
Kategorie:
Einzelne, vorgespannte Bipolartransistoren
Gehäuse:
SC-70, SOT-323
Datenblatt:
TomatoElecPDTD114EU135.pdf
Beschreibung:
TRANS PREBIAS
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PDTD114EU135 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
NXP USA Inc.
Serie:
PDTD1xxxU
Verpackung/Gehäuse:
SC-70, SOT-323
Verpackung:
Bulk
Produktstatus:
Active
Transistortyp:
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (Max):
500 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
50 V
Widerstand - Basis (R1):
10 kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
10 kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
70 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
100mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
500nA
Frequenz - Übergang:
225 MHz
Leistung – Max:
300 mW
Klasse:
Automotive
Qualifizierung:
AEC-Q101
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
SOT-323
Kategorie:
Einzelne, vorgespannte Bipolartransistoren
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Teilenr. PDTD114EU135
Hersteller NXP USA Inc.
Serie PDTD1xxxU
Verpackung/Gehäuse SC-70, SOT-323
Verpackung Bulk
Produktstatus Active
Transistortyp NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 500 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) 50 V
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 10 kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 225 MHz
Leistung – Max 300 mW
Klasse Automotive
Qualifizierung AEC-Q101
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket SOT-323

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