NXP Semiconductors PDTC114ET215

PDTC114ET215 Supplier & Distributor

PDTC114ET215 is an electronic component from NXP Semiconductors. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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  • In-stock inventory checking
  • RFQ and availability confirmation
  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
PDTC114ET215
Hersteller:
NXP Semiconductors
Kategorie:
Einzelne, vorgespannte Bipolartransistoren
Gehäuse:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt:
TomatoElecPDTC114ET215.pdf
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
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PDTC114ET215 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
NXP Semiconductors
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Verpackung:
Bulk
Produktstatus:
Active
Transistortyp:
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (Max):
100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
50 V
Widerstand - Basis (R1):
10 kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
10 kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
30 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
1µA
Frequenz - Übergang:
230 MHz
Leistung – Max:
250 mW
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
SOT23-3 (TO-236)
Kategorie:
Einzelne, vorgespannte Bipolartransistoren
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Hersteller NXP Semiconductors
Serie -
Verpackung/Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Verpackung Bulk
Produktstatus Active
Transistortyp NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) 50 V
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 10 kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max) 1µA
Frequenz - Übergang 230 MHz
Leistung – Max 250 mW
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket SOT23-3 (TO-236)

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