Nexperia USA Inc. PBSS4130PAN,115

PBSS4130PAN,115 Supplier & Distributor

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Teilenr.:
PBSS4130PAN,115
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Kategorie:
Bipolartransistor-Arrays
Gehäuse:
6-UFDFN Exposed Pad
Datenblatt:
TomatoElecPBSS4130PAN,115.pdf
Beschreibung:
TRANS 2NPN 30V 1A 6HUSON
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PBSS4130PAN,115 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
6-UFDFN Exposed Pad
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Transistortyp:
2 NPN (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (Max):
1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
30V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
100mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
100nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
210 @ 500mA, 2V
Leistung – Max:
510mW
Frequenz - Übergang:
165MHz
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Klasse:
Automotive
Qualifizierung:
AEC-Q100
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
6-HUSON (2x2)
Kategorie:
Bipolartransistor-Arrays
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Teilenr. PBSS4130PAN,115 PBSS4130PANP,115 PBSS4130PAN-QX PBSS4130PANP-QX
Hersteller Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Serie - - - -
Verpackung/Gehäuse 6-UFDFN Exposed Pad 6-UFDFN Exposed Pad - -
Verpackung Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active Active Active Active
Transistortyp 2 NPN (Dual) 1 NPN, 1 PNP - -
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 1A 1A - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) 30V 30V - -
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 50mA, 500mA 100mV @ 50mA, 500mA - -
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) - -
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 210 @ 500mA, 2V 210 @ 500mA, 2V - -
Leistung – Max 510mW 510mW - -
Frequenz - Übergang 165MHz 165MHz - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
Klasse Automotive Automotive - -
Qualifizierung AEC-Q100 AEC-Q100 - -
Montageart Surface Mount Surface Mount - -
Lieferant Gerätepaket 6-HUSON (2x2) 6-HUSON (2x2) - -

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