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NVMFD5873NLWFT1G-UM Supplier & Distributor

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  • In-stock inventory checking
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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
NVMFD5873NLWFT1G-UM
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
8-PowerTDFN
Datenblatt:
TomatoElecNVMFD5873NLWFT1G-UM.pdf
Beschreibung:
POWER MOSFET 60V, 58A, 13 MOHM,
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NVMFD5873NLWFT1G-UM Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
onsemi
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
8-PowerTDFN
Verpackung:
Bulk
Produktstatus:
Discontinued at Digi-Key
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
60V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
58A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Leistung – Max:
-
Betriebstemperatur:
-
Klasse:
Automotive
Qualifizierung:
AEC-Q101
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. NVMFD5873NLWFT1G NVMFD5873NLWFT1G-UM
Hersteller onsemi onsemi
Serie - -
Verpackung/Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Verpackung Tape & Reel (TR) Bulk
Produktstatus Obsolete Discontinued at Digi-Key
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 60V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 10A 58A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 15A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 30.5nC @ 10V -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1560pF @ 25V -
Leistung – Max 3.1W -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -
Klasse Automotive Automotive
Qualifizierung AEC-Q101 AEC-Q101
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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