onsemi NVJD5121NT1G

NVJD5121NT1G Supplier & Distributor

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  • In-stock inventory checking
  • RFQ and availability confirmation
  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
NVJD5121NT1G
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt:
TomatoElecNVJD5121NT1G.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
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NVJD5121NT1G Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
onsemi
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
60V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
295mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
0.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
26pF @ 20V
Leistung – Max:
250mW
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
Automotive
Qualifizierung:
AEC-Q101
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Bilder NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G-M06
Teilenr. NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G-M06
Hersteller onsemi onsemi
Serie - -
Verpackung/Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Verpackung Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active Active
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 60V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 295mA 295mA (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.9nC @ 4.5V 0.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 26pF @ 20V 26pF @ 20V
Leistung – Max 250mW 250mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse Automotive -
Qualifizierung AEC-Q101 -
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lieferant Gerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363

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