onsemi NTZD3152PT1G

NTZD3152PT1G Supplier & Distributor

NTZD3152PT1G is an electronic component manufactured by onsemi. We are a professional electronic components supplier providing original parts with large stock available in Shenzhen Huaqiangbei.

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Teilenr.:
NTZD3152PT1G
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
SOT-563, SOT-666
Datenblatt:
TomatoElecNTZD3152PT1G.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
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NTZD3152PT1G Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
onsemi
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
SOT-563, SOT-666
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
430mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
900mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
2.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
175pF @ 16V
Leistung – Max:
250mW
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
SOT-563
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. NTZD3152PT1G
Hersteller onsemi
Serie -
Verpackung/Gehäuse SOT-563, SOT-666
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 430mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 175pF @ 16V
Leistung – Max 250mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket SOT-563

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