onsemi NTMD6P02R2SG

NTMD6P02R2SG Supplier & Distributor

NTMD6P02R2SG is an electronic component from onsemi. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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  • In-stock inventory checking
  • RFQ and availability confirmation
  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
NTMD6P02R2SG
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt:
TomatoElecNTMD6P02R2SG.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
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About NTMD6P02R2SG

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NTMD6P02R2SG Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
onsemi
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Obsolete
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion:
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):
20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
4.8A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
35nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1700pF @ 16V
Leistung – Max:
750mW
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
8-SOIC
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. NTMD6P02R2SG
Hersteller onsemi
Serie -
Verpackung/Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Obsolete
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 4.8A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 16V
Leistung – Max 750mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 8-SOIC

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