onsemi NTMC083NP10M5L

NTMC083NP10M5L Supplier & Distributor

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  • In-stock inventory checking
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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
NTMC083NP10M5L
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt:
TomatoElecNTMC083NP10M5L.pdf
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 100V 2.9A 8SOIC
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NTMC083NP10M5L Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
onsemi
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
N and P-Channel
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
100V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
2.9A (Ta), 4.1A (Tc), 2.4A (Ta), 3.3A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
83mOhm @ 1.5A, 10V, 131mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
5nC @ 10V, 8.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
222pF @ 50V, 525pF @ 50V
Leistung – Max:
1.6W (Ta), 3.1W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
8-SOIC
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. NTMC083NP10M5L
Hersteller onsemi
Serie -
Verpackung/Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration N and P-Channel
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 2.9A (Ta), 4.1A (Tc), 2.4A (Ta), 3.3A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 83mOhm @ 1.5A, 10V, 131mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V, 8.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 222pF @ 50V, 525pF @ 50V
Leistung – Max 1.6W (Ta), 3.1W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 8-SOIC

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