onsemi NSV40302PDR2G

NSV40302PDR2G Supplier & Distributor

NSV40302PDR2G is an electronic component from onsemi. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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  • Original component sourcing support
  • In-stock inventory checking
  • RFQ and availability confirmation
  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
NSV40302PDR2G
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
Bipolartransistor-Arrays
Gehäuse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt:
TomatoElecNSV40302PDR2G.pdf
Beschreibung:
TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC
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About NSV40302PDR2G

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NSV40302PDR2G Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
onsemi
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Transistortyp:
1 NPN, 1 PNP
Strom - Kollektor (Ic) (Max):
3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
40V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
115mV @ 200mA, 2A
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
100nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
180 @ 1A, 2V
Leistung – Max:
653mW
Frequenz - Übergang:
100MHz
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
8-SOIC
Kategorie:
Bipolartransistor-Arrays
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Teilenr. NSV40302PDR2G
Hersteller onsemi
Serie -
Verpackung/Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active
Transistortyp 1 NPN, 1 PNP
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) 40V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 115mV @ 200mA, 2A
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max) 100nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 1A, 2V
Leistung – Max 653mW
Frequenz - Übergang 100MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 8-SOIC

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