Microchip Technology MSCSM170AM45CT1AG

MSCSM170AM45CT1AG Supplier & Distributor

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Teilenr.:
MSCSM170AM45CT1AG
Hersteller:
Microchip Technology
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
Module
Datenblatt:
TomatoElecMSCSM170AM45CT1AG.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 1700V 64A
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MSCSM170AM45CT1AG Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Microchip Technology
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
Module
Verpackung:
Bulk
Produktstatus:
Active
Technologie:
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration:
2 N Channel (Phase Leg)
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
1700V (1.7kV)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
64A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
45mOhm @ 30A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.2V @ 2.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
178nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
3300pF @ 1000V
Leistung – Max:
319W (Tc)
Betriebstemperatur:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Chassis Mount
Lieferant Gerätepaket:
-
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. MSCSM170AM45CT1AG
Hersteller Microchip Technology
Serie -
Verpackung/Gehäuse Module
Verpackung Bulk
Produktstatus Active
Technologie Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration 2 N Channel (Phase Leg)
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1700V (1.7kV)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 64A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 30A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.2V @ 2.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 178nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3300pF @ 1000V
Leistung – Max 319W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Chassis Mount
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