onsemi MC1413BDR2G

MC1413BDR2G Supplier & Distributor

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Teilenr.:
MC1413BDR2G
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
Bipolartransistor-Arrays
Gehäuse:
16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt:
TomatoElecMC1413BDR2G.pdf
Beschreibung:
TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16SOIC
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MC1413BDR2G Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
onsemi
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Transistortyp:
7 NPN Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (Max):
500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
50V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
1.6V @ 500µA, 350mA
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
-
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
1000 @ 350mA, 2V
Leistung – Max:
-
Frequenz - Übergang:
-
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
16-SOIC
Kategorie:
Bipolartransistor-Arrays
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Teilenr. MC1413BDR2G
Hersteller onsemi
Serie -
Verpackung/Gehäuse 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active
Transistortyp 7 NPN Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) 50V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max) -
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V
Leistung – Max -
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 16-SOIC

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