IXYS IXFN27N120SK

IXFN27N120SK Supplier & Distributor

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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
IXFN27N120SK
Hersteller:
IXYS
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt:
TomatoElecIXFN27N120SK.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 1200V SOT227B
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IXFN27N120SK Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
IXYS
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
SOT-227-4, miniBLOC
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Obsolete
Technologie:
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
1200V (1.2kV)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Leistung – Max:
-
Betriebstemperatur:
-
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Chassis Mount
Lieferant Gerätepaket:
SOT-227B
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. IXFN27N120SK
Hersteller IXYS
Serie -
Verpackung/Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC
Verpackung Tube
Produktstatus Obsolete
Technologie Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1.2kV)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs -
Vgs(th) (Max) @ Id -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Leistung – Max -
Betriebstemperatur -
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Chassis Mount
Lieferant Gerätepaket SOT-227B

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