International Rectifier IRFHE4250DTRPBF

IRFHE4250DTRPBF Supplier & Distributor

IRFHE4250DTRPBF is an electronic component from International Rectifier. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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  • In-stock inventory checking
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  • BOM sourcing and bulk order support
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IRFHE4250DTRPBF
Hersteller:
International Rectifier
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
32-PowerVFQFN
Datenblatt:
TomatoElecIRFHE4250DTRPBF.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 25V 86A 32QFN
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IRFHE4250DTRPBF Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
International Rectifier
Serie:
HEXFET®
Verpackung/Gehäuse:
32-PowerVFQFN
Verpackung:
Bulk
Produktstatus:
Active
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
25V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
86A (Tc), 303A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
Leistung – Max:
156W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
32-PQFN (6x6)
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. IRFHE4250DTRPBF
Hersteller International Rectifier
Serie HEXFET®
Verpackung/Gehäuse 32-PowerVFQFN
Verpackung Bulk
Produktstatus Active
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 86A (Tc), 303A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
Leistung – Max 156W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 32-PQFN (6x6)

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