International Rectifier IRFH4257DTRPBF

IRFH4257DTRPBF Supplier & Distributor

IRFH4257DTRPBF is an electronic component manufactured by International Rectifier. We are a professional electronic components supplier providing original parts with large stock available in Shenzhen Huaqiangbei.

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IRFH4257DTRPBF
Hersteller:
International Rectifier
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
8-PowerVDFN
Datenblatt:
TomatoElecIRFH4257DTRPBF.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN
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IRFH4257DTRPBF Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
International Rectifier
Serie:
HEXFET®
Verpackung/Gehäuse:
8-PowerVDFN
Verpackung:
Bulk
Produktstatus:
Active
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion:
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):
25V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
25A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
3.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.1V @ 35µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
15nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1321pF @ 13V
Leistung – Max:
25W, 28W
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
Dual PQFN (5x4)
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. IRFH4257DTRPBF
Hersteller International Rectifier
Serie HEXFET®
Verpackung/Gehäuse 8-PowerVDFN
Verpackung Bulk
Produktstatus Active
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 25A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1321pF @ 13V
Leistung – Max 25W, 28W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket Dual PQFN (5x4)

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