Infineon Technologies IRF8852TRPBF

IRF8852TRPBF Supplier & Distributor

IRF8852TRPBF is an electronic component from Infineon Technologies. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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  • In-stock inventory checking
  • RFQ and availability confirmation
  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
IRF8852TRPBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Datenblatt:
TomatoElecIRF8852TRPBF.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP
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IRF8852TRPBF Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Infineon Technologies
Serie:
HEXFET®
Verpackung/Gehäuse:
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Obsolete
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion:
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):
25V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
7.8A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
11.3mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.35V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
9.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1151pF @ 20V
Leistung – Max:
1W
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
8-TSSOP
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. IRF8852TRPBF
Hersteller Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Verpackung/Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Obsolete
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 7.8A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 11.3mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1151pF @ 20V
Leistung – Max 1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 8-TSSOP

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