Infineon Technologies IRF7341QTRPBF

IRF7341QTRPBF Supplier & Distributor

IRF7341QTRPBF is an electronic component manufactured by Infineon Technologies. We are a professional electronic components supplier providing original parts with large stock available in Shenzhen Huaqiangbei.

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Teilenr.:
IRF7341QTRPBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt:
TomatoElecIRF7341QTRPBF.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO
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IRF7341QTRPBF Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Infineon Technologies
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung:
Cut Tape (CT)
Produktstatus:
Obsolete
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion:
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):
55V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
5.1A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
44nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
780pF @ 25V
Leistung – Max:
2.4W
Betriebstemperatur:
-
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
8-SO
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. IRF7341QTRPBF
Hersteller Infineon Technologies
Serie -
Verpackung/Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung Cut Tape (CT)
Produktstatus Obsolete
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 5.1A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 25V
Leistung – Max 2.4W
Betriebstemperatur -
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 8-SO

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