Infineon Technologies IRF5852TRPBF

IRF5852TRPBF Supplier & Distributor

IRF5852TRPBF is an electronic component manufactured by Infineon Technologies. We are a professional electronic components supplier providing original parts with large stock available in Shenzhen Huaqiangbei.

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IRF5852TRPBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt:
TomatoElecIRF5852TRPBF.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP
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IRF5852TRPBF Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Infineon Technologies
Serie:
HEXFET®
Verpackung/Gehäuse:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Obsolete
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion:
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):
20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
2.7A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.25V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
400pF @ 15V
Leistung – Max:
960mW
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
6-TSOP
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Hersteller Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Verpackung/Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Obsolete
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 2.7A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 15V
Leistung – Max 960mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 6-TSOP

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