SemiQ GCMX010A120B3B1P

GCMX010A120B3B1P Supplier & Distributor

GCMX010A120B3B1P is an electronic component from SemiQ. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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  • In-stock inventory checking
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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
GCMX010A120B3B1P
Hersteller:
SemiQ
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
Module
Datenblatt:
TomatoElecGCMX010A120B3B1P.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 1200V 173A
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GCMX010A120B3B1P Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
SemiQ
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
Module
Verpackung:
Tray
Produktstatus:
Active
Technologie:
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration:
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
1200V (1.2kV)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
173A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
14mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 40mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
483nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
13800pF @ 800V
Leistung – Max:
577W (Tc)
Betriebstemperatur:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Chassis Mount
Lieferant Gerätepaket:
-
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. GCMX010A120B3B1P
Hersteller SemiQ
Serie -
Verpackung/Gehäuse Module
Verpackung Tray
Produktstatus Active
Technologie Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1.2kV)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 173A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 40mA
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Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13800pF @ 800V
Leistung – Max 577W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Chassis Mount
Lieferant Gerätepaket -

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