Goford Semiconductor G180C06Y

G180C06Y Supplier & Distributor

G180C06Y is an electronic component manufactured by Goford Semiconductor. We are a professional electronic components supplier providing original parts with large stock available in Shenzhen Huaqiangbei.

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G180C06Y
Hersteller:
Goford Semiconductor
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
Datenblatt:
TomatoElecG180C06Y.pdf
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
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G180C06Y Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Goford Semiconductor
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
Verpackung:
Produktstatus:
Active
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
N and P-Channel, Common Drain
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
60V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
50A (Tc), 60A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
39nC @ 4.5V, 62nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
2429pF @ 30V, 4471pF @ 30V
Leistung – Max:
69W (Tc), 115W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
TO-252-4
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. G180C06Y
Hersteller Goford Semiconductor
Serie -
Verpackung/Gehäuse TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
Verpackung
Produktstatus Active
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration N and P-Channel, Common Drain
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 50A (Tc), 60A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 4.5V, 62nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2429pF @ 30V, 4471pF @ 30V
Leistung – Max 69W (Tc), 115W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket TO-252-4

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