onsemi FPF1C2P5BF07A

FPF1C2P5BF07A Supplier & Distributor

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  • In-stock inventory checking
  • RFQ and availability confirmation
  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
FPF1C2P5BF07A
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
F1 Module
Beschreibung:
MOSFET 5N-CH 650V 36A F1
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About FPF1C2P5BF07A

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FPF1C2P5BF07A Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
onsemi
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
F1 Module
Verpackung:
Tray
Produktstatus:
Obsolete
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
5 N-Channel (Solar Inverter)
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
650V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
36A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
90mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.8V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Leistung – Max:
250W
Betriebstemperatur:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Chassis Mount
Lieferant Gerätepaket:
F1
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. FPF1C2P5BF07A
Hersteller onsemi
Serie -
Verpackung/Gehäuse F1 Module
Verpackung Tray
Produktstatus Obsolete
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 5 N-Channel (Solar Inverter)
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 36A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Leistung – Max 250W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Chassis Mount
Lieferant Gerätepaket F1

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