IXYS FMP76-010T

FMP76-010T Supplier & Distributor

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Teilenr.:
FMP76-010T
Hersteller:
IXYS
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
i4-Pac™-5
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 100V 62A I4-PAC
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FMP76-010T Spezifikationen

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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
IXYS
Serie:
Trench™
Verpackung/Gehäuse:
i4-Pac™-5
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Active
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
N and P-Channel
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
100V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
62A, 54A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
11mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
104nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
5080pF @ 25V
Leistung – Max:
89W, 132W
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Through Hole
Lieferant Gerätepaket:
ISOPLUS i4-PAC™
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. FMP76-01T FMP76-010T
Hersteller IXYS IXYS
Serie - Trench™
Verpackung/Gehäuse ISOPLUSi5-PAK™ i4-Pac™-5
Verpackung Tube Tube
Produktstatus Obsolete Active
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration N and P-Channel, Common Drain N and P-Channel
FET-Funktion - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V 100V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 54A (Tc), 62A (Tc) 62A, 54A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 38A, 10V, 11mOhm @ 25A, 10V 11mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 197nC @ 10V, 104nC @ 10V 104nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1370pF @ 25V, 5080pF @ 25V 5080pF @ 25V
Leistung – Max 89W, 132W 89W, 132W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse - -
Qualifizierung - -
Montageart Through Hole Through Hole
Lieferant Gerätepaket ISOPLUS i4-PAC™ ISOPLUS i4-PAC™

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