onsemi FDS8958A-F085

FDS8958A-F085 Supplier & Distributor

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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
FDS8958A-F085
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt:
TomatoElecFDS8958A-F085.pdf
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
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FDS8958A-F085 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
onsemi
Serie:
PowerTrench®
Verpackung/Gehäuse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Obsolete
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
N and P-Channel
FET-Funktion:
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):
30V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
7A, 5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
28mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
16nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
575pF @ 15V
Leistung – Max:
900mW
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
Automotive
Qualifizierung:
AEC-Q101
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
8-SOIC
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Hersteller onsemi onsemi
Serie PowerTrench® PowerTrench®
Verpackung/Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Produktstatus Obsolete Obsolete
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 7A, 5A 7A, 5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 7A, 10V 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V 16nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 575pF @ 15V 575pF @ 15V
Leistung – Max 900mW 900mW
Betriebstemperatur - -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse - Automotive
Qualifizierung - AEC-Q101
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 8-SOIC 8-SOIC

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