onsemi FDS6898A_NF40

FDS6898A_NF40 Supplier & Distributor

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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
FDS6898A_NF40
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt:
TomatoElecFDS6898A_NF40.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
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FDS6898A_NF40 Spezifikationen

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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
onsemi
Serie:
PowerTrench®
Verpackung/Gehäuse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Obsolete
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion:
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):
20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
9.4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
23nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1821pF @ 10V
Leistung – Max:
900mW
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
8-SOIC
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Hersteller onsemi
Serie PowerTrench®
Verpackung/Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Obsolete
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 9.4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1821pF @ 10V
Leistung – Max 900mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 8-SOIC

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