onsemi FDC6305N

FDC6305N Supplier & Distributor

FDC6305N is an electronic component manufactured by onsemi. We are a professional electronic components supplier providing original parts with large stock available in Shenzhen Huaqiangbei.

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Teilenr.:
FDC6305N
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt:
TomatoElecFDC6305N.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
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About FDC6305N

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FDC6305N Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
onsemi
Serie:
PowerTrench®
Verpackung/Gehäuse:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
2.7A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
310pF @ 10V
Leistung – Max:
700mW
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
SuperSOT™-6
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. FDC6305N
Hersteller onsemi
Serie PowerTrench®
Verpackung/Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 2.7A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 10V
Leistung – Max 700mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket SuperSOT™-6

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