Infineon Technologies F435MR07W1D7S8B11ABPSA1

F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 Supplier & Distributor

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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
F435MR07W1D7S8B11ABPSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
Module
Datenblatt:
TomatoElecF435MR07W1D7S8B11ABPSA1.pdf
Beschreibung:
MOSFET 4N-CH 650V 35A MODULE
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F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Infineon Technologies
Serie:
EasyPACK™ 1B
Verpackung/Gehäuse:
Module
Verpackung:
Tray
Produktstatus:
Active
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
4 N-Channel (Full Bridge)
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
650V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
35A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
39.4mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.45V @ 1.74mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
141nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
6950pF @ 400V
Leistung – Max:
-
Betriebstemperatur:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Chassis Mount
Lieferant Gerätepaket:
Module
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Serie EasyPACK™ 1B
Verpackung/Gehäuse Module
Verpackung Tray
Produktstatus Active
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 4 N-Channel (Full Bridge)
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 35A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 39.4mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.45V @ 1.74mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 141nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6950pF @ 400V
Leistung – Max -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Chassis Mount
Lieferant Gerätepaket Module

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