EPC EPC2106

EPC2106 Supplier & Distributor

EPC2106 is an electronic component from EPC. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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  • Original component sourcing support
  • In-stock inventory checking
  • RFQ and availability confirmation
  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
EPC2106
Hersteller:
EPC
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
Die
Datenblatt:
TomatoElecEPC2106.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
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EPC2106 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
EPC
Serie:
eGaN®
Verpackung/Gehäuse:
Die
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Technologie:
GaNFET (Gallium Nitride)
Konfiguration:
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
100V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
1.7A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
70mOhm @ 2A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 600µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
0.73nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
75pF @ 50V
Leistung – Max:
-
Betriebstemperatur:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
Die
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. EPC2106 EPC2106ENGRT
Hersteller EPC EPC
Serie eGaN® eGaN®
Verpackung/Gehäuse Die Die
Verpackung Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active Discontinued at Digi-Key
Technologie GaNFET (Gallium Nitride) GaNFET (Gallium Nitride)
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V 100V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 1.7A 1.7A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 2A, 5V 70mOhm @ 2A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 600µA 2.5V @ 600µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.73nC @ 5V 0.73nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 50V 75pF @ 50V
Leistung – Max - -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Klasse - -
Qualifizierung - -
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lieferant Gerätepaket Die Die

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