onsemi EFC3J018NUZTDG

EFC3J018NUZTDG Supplier & Distributor

EFC3J018NUZTDG is an electronic component from onsemi. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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  • In-stock inventory checking
  • RFQ and availability confirmation
  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
EFC3J018NUZTDG
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
6-XFBGA, WLCSP
Datenblatt:
TomatoElecEFC3J018NUZTDG.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 23A 6WLCSP
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EFC3J018NUZTDG Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
onsemi
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
6-XFBGA, WLCSP
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss):
20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
23A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
4.7mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
75nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Leistung – Max:
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
6-WLCSP (1.77x3.05)
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. EFC3J018NUZTDG
Hersteller onsemi
Serie -
Verpackung/Gehäuse 6-XFBGA, WLCSP
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 23A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Leistung – Max 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 6-WLCSP (1.77x3.05)

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