Micro Commercial Co DTC143ESA-BP

DTC143ESA-BP Supplier & Distributor

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  • In-stock inventory checking
  • RFQ and availability confirmation
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Teilenr.:
DTC143ESA-BP
Hersteller:
Micro Commercial Co
Kategorie:
Einzelne, vorgespannte Bipolartransistoren
Gehäuse:
TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Datenblatt:
TomatoElecDTC143ESA-BP.pdf
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V TO92S
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About DTC143ESA-BP

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DTC143ESA-BP Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Micro Commercial Co
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Verpackung:
Bulk
Produktstatus:
Obsolete
Transistortyp:
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (Max):
100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
50 V
Widerstand - Basis (R1):
4.7 kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
4.7 kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
20 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
500nA
Frequenz - Übergang:
250 MHz
Leistung – Max:
300 mW
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Through Hole
Lieferant Gerätepaket:
TO-92S
Kategorie:
Einzelne, vorgespannte Bipolartransistoren
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Bilder DTC143ESA-BP DTC143ESA-AP
Teilenr. DTC143ESA-BP DTC143ESA-AP
Hersteller Micro Commercial Co Micro Commercial Co
Serie - -
Verpackung/Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 Short Body TO-226-3, TO-92-3 Short Body, Formed Leads
Verpackung Bulk Tape & Box (TB)
Produktstatus Obsolete Obsolete
Transistortyp NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100 mA 100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) 50 V 50 V
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms 4.7 kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 4.7 kOhms 4.7 kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 10mA, 5V 20 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max) 500nA 500nA
Frequenz - Übergang 250 MHz 250 MHz
Leistung – Max 300 mW 300 mW
Klasse - -
Qualifizierung - -
Montageart Through Hole Through Hole
Lieferant Gerätepaket TO-92S TO-92S

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