Diodes Incorporated DMN2991UDJ

DMN2991UDJ Supplier & Distributor

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Teilenr.:
DMN2991UDJ
Hersteller:
Diodes Incorporated
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
SOT-963
Datenblatt:
TomatoElecDMN2991UDJ.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 0.52A SOT963
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DMN2991UDJ Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Diodes Incorporated
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
SOT-963
Verpackung:
Bulk
Produktstatus:
Active
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
520mA (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
990mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
0.35C @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
21.5pF @ 15V
Leistung – Max:
400mW (Ta)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
SOT-963
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. DMN2991UDJ-7 DMN2991UDJ-7A DMN2991UDJ
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Serie - - -
Verpackung/Gehäuse SOT-963 SOT-963 SOT-963
Verpackung Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Produktstatus Active Active Active
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 520mA (Ta) 520mA (Ta) 520mA (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 990mOhm @ 100mA, 4.5V 990mOhm @ 100mA, 4.5V 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.35nC @ 4.5V 0.35nC @ 4.5V 0.35C @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 21.5pF @ 15V 21.5pF @ 15V 21.5pF @ 15V
Leistung – Max 400mW (Ta) 400mW (Ta) 400mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse - - -
Qualifizierung - - -
Montageart Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Lieferant Gerätepaket SOT-963 SOT-963 SOT-963

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