Wolfspeed, Inc. CBB021M12FM3T

CBB021M12FM3T Supplier & Distributor

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Teilenr.:
CBB021M12FM3T
Hersteller:
Wolfspeed, Inc.
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
Module
Datenblatt:
TomatoElecCBB021M12FM3T.pdf
Beschreibung:
MOSFET 4N-CH 1200V 50A
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CBB021M12FM3T Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Wolfspeed, Inc.
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
Module
Verpackung:
Box
Produktstatus:
Active
Technologie:
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration:
4 N-Channel (Full Bridge)
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
1200V (1.2kV)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
50A (Tj)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
28.9mOhm @ 30A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.9V @ 17mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
162nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
5400pF @ 1000V
Leistung – Max:
-
Betriebstemperatur:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Chassis Mount
Lieferant Gerätepaket:
-
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. CBB021M12FM3T
Hersteller Wolfspeed, Inc.
Serie -
Verpackung/Gehäuse Module
Verpackung Box
Produktstatus Active
Technologie Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration 4 N-Channel (Full Bridge)
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1.2kV)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 50A (Tj)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 28.9mOhm @ 30A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 17mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 162nC @ 15V
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Leistung – Max -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Chassis Mount
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