Infineon Technologies BSO207PHXUMA1

BSO207PHXUMA1 Supplier & Distributor

BSO207PHXUMA1 is an electronic component manufactured by Infineon Technologies. We are a professional electronic components supplier providing original parts with large stock available in Shenzhen Huaqiangbei.

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Teilenr.:
BSO207PHXUMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt:
TomatoElecBSO207PHXUMA1.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 20V 5A 8DSO
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BSO207PHXUMA1 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Infineon Technologies
Serie:
OptiMOS™
Verpackung/Gehäuse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Obsolete
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion:
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):
20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
45mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.2V @ 44µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
16nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1650pF @ 15V
Leistung – Max:
1.6W
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
PG-DSO-8
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. BSO207PHXUMA1
Hersteller Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Verpackung/Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Obsolete
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 44µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1650pF @ 15V
Leistung – Max 1.6W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket PG-DSO-8

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