Infineon Technologies BSL306NH6327XTSA1

BSL306NH6327XTSA1 Supplier & Distributor

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Teilenr.:
BSL306NH6327XTSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt:
TomatoElecBSL306NH6327XTSA1.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 2.3A TSOP6-6
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BSL306NH6327XTSA1 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Infineon Technologies
Serie:
OptiMOS™
Verpackung/Gehäuse:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Obsolete
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion:
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss):
30V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
2.3A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
57mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2V @ 11µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
1.6nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
275pF @ 15V
Leistung – Max:
500mW
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
Automotive
Qualifizierung:
AEC-Q101
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
PG-TSOP6-6
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Hersteller Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Verpackung/Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Obsolete
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 2.3A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 57mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 11µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 1.6nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 275pF @ 15V
Leistung – Max 500mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse Automotive
Qualifizierung AEC-Q101
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket PG-TSOP6-6

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