Infineon Technologies BFR193FH6327XTSA1

BFR193FH6327XTSA1 Supplier & Distributor

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Teilenr.:
BFR193FH6327XTSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Kategorie:
Bipolare HF-Transistoren
Gehäuse:
SOT-723
Datenblatt:
TomatoElecBFR193FH6327XTSA1.pdf
Beschreibung:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3
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BFR193FH6327XTSA1 Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Infineon Technologies
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
SOT-723
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Transistortyp:
NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
12V
Frequenz - Übergang:
8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f):
1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Verstärkung:
12.5dB
Leistung – Max:
580mW
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
70 @ 30mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (Max):
80mA
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
PG-TSFP-3
Kategorie:
Bipolare HF-Transistoren
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Teilenr. BFR193FH6327XTSA1
Hersteller Infineon Technologies
Serie -
Verpackung/Gehäuse SOT-723
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active
Transistortyp NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) 12V
Frequenz - Übergang 8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Verstärkung 12.5dB
Leistung – Max 580mW
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 30mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 80mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket PG-TSFP-3

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