Ampleon USA Inc. B10G2327N55DZ

B10G2327N55DZ Supplier & Distributor

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B10G2327N55DZ
Hersteller:
Ampleon USA Inc.
Kategorie:
Einzel-FETs, MOSFETs
Gehäuse:
20-QFN Exposed Pad
Datenblatt:
TomatoElecB10G2327N55DZ.pdf
Beschreibung:
RF MOSFET LDMOS 32V 20QFN
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B10G2327N55DZ Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Ampleon USA Inc.
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
20-QFN Exposed Pad
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Technologie:
LDMOS
Konfiguration:
-
Frequenz:
2.3GHz ~ 2.7GHz
Verstärkung:
30dB
Spannung - Test:
32 V
Stromstärke (Ampere):
1.4µA
Rauschzahl:
-
Strom - Test:
49 mA
Leistung - Ausgang:
-
Spannung - Nenn:
65 V
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
20-PQFN (8x8)
Kategorie:
Einzel-FETs, MOSFETs
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Teilenr. B10G2327N55DZ
Hersteller Ampleon USA Inc.
Serie -
Verpackung/Gehäuse 20-QFN Exposed Pad
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active
Technologie LDMOS
Konfiguration -
Frequenz 2.3GHz ~ 2.7GHz
Verstärkung 30dB
Spannung - Test 32 V
Stromstärke (Ampere) 1.4µA
Rauschzahl -
Strom - Test 49 mA
Leistung - Ausgang -
Spannung - Nenn 65 V
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 20-PQFN (8x8)

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