International Rectifier AUIRF9952QTR

AUIRF9952QTR Supplier & Distributor

AUIRF9952QTR is an electronic component from International Rectifier. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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  • In-stock inventory checking
  • RFQ and availability confirmation
  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
AUIRF9952QTR
Hersteller:
International Rectifier
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt:
TomatoElecAUIRF9952QTR.pdf
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
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AUIRF9952QTR Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
International Rectifier
Serie:
HEXFET®
Verpackung/Gehäuse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung:
Bulk
Produktstatus:
Active
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
N and P-Channel
FET-Funktion:
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):
30V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
3.5A, 2.3A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
14nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
190pF @ 15V
Leistung – Max:
2W
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
8-SO
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. AUIRF9952QTR
Hersteller International Rectifier
Serie HEXFET®
Verpackung/Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung Bulk
Produktstatus Active
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 3.5A, 2.3A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V
Leistung – Max 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 8-SO

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