Microchip Technology APTMC120AM55CT1AG

APTMC120AM55CT1AG Supplier & Distributor

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APTMC120AM55CT1AG
Hersteller:
Microchip Technology
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
SP1
Datenblatt:
TomatoElecAPTMC120AM55CT1AG.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1
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APTMC120AM55CT1AG Spezifikationen

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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Microchip Technology
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
SP1
Verpackung:
Bulk
Produktstatus:
Last Time Buy
Technologie:
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration:
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
1200V (1.2kV)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
55A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
49mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.2V @ 2mA (Typ)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
98nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1900pF @ 1000V
Leistung – Max:
250W
Betriebstemperatur:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Chassis Mount
Lieferant Gerätepaket:
SP1
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. APTMC120AM55CT1AG
Hersteller Microchip Technology
Serie -
Verpackung/Gehäuse SP1
Verpackung Bulk
Produktstatus Last Time Buy
Technologie Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1.2kV)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 55A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 2mA (Typ)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 1000V
Leistung – Max 250W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Chassis Mount
Lieferant Gerätepaket SP1

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