Microchip Technology APTM50AM35FTG

APTM50AM35FTG Supplier & Distributor

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Teilenr.:
APTM50AM35FTG
Hersteller:
Microchip Technology
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
SP4
Datenblatt:
TomatoElecAPTM50AM35FTG.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4
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APTM50AM35FTG Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Microchip Technology
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
SP4
Verpackung:
Bulk
Produktstatus:
Active
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
500V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
99A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
39mOhm @ 49.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
280nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
14000pF @ 25V
Leistung – Max:
781W
Betriebstemperatur:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Chassis Mount
Lieferant Gerätepaket:
SP4
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. APTM50AM35FTG
Hersteller Microchip Technology
Serie -
Verpackung/Gehäuse SP4
Verpackung Bulk
Produktstatus Active
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 99A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 49.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 280nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 25V
Leistung – Max 781W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Chassis Mount
Lieferant Gerätepaket SP4

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