Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOCR33105E

AOCR33105E Supplier & Distributor

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  • In-stock inventory checking
  • RFQ and availability confirmation
  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
AOCR33105E
Hersteller:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
10-SMD, No Lead
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 12V 30A 10MRIGIDCSP
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AOCR33105E Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
10-SMD, No Lead
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel, Common Drain
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
12V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
30A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
3mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
21nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Leistung – Max:
3.1W (Ta)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
10-MRigidCSP (2.08x1.45)
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. AOCR33105E
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie -
Verpackung/Gehäuse 10-SMD, No Lead
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel, Common Drain
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 30A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Leistung – Max 3.1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 10-MRigidCSP (2.08x1.45)

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