Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC2804

AOC2804 Supplier & Distributor

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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
AOC2804
Hersteller:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
4-XDFN
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 4DFN
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AOC2804 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie:
AlphaMOS
Verpackung/Gehäuse:
4-XDFN
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Obsolete
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
-
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
9.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Leistung – Max:
700mW
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
4-DFN (1.5x1.5)
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Bilder AOC2804 AOC2804B
Teilenr. AOC2804 AOC2804B
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie AlphaMOS AlphaMOS
Verpackung/Gehäuse 4-XDFN 4-XDFN
Verpackung Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Produktstatus Obsolete Obsolete
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) - -
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C - -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs - -
Vgs(th) (Max) @ Id - 1.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 4.5V 9.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - -
Leistung – Max 700mW 1.3W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse - -
Qualifizierung - -
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 4-DFN (1.5x1.5) 4-DFN (1.5x1.5)

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