Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC2802_001

AOC2802_001 Supplier & Distributor

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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
AOC2802_001
Hersteller:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
4-UFBGA, WLCSP
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 6A 4WLCSP
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AOC2802_001 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
4-UFBGA, WLCSP
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Obsolete
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
35mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
10.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1200pF @ 10V
Leistung – Max:
1.3W
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
4-WLCSP (1.57x1.57)
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. AOC2802_001
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie -
Verpackung/Gehäuse 4-UFBGA, WLCSP
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Obsolete
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 10.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 10V
Leistung – Max 1.3W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 4-WLCSP (1.57x1.57)

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