Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO8810#A

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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
AO8810#A
Hersteller:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 7A 8TSSOP
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AO8810#A Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Verpackung:
Bulk
Produktstatus:
Obsolete
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion:
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):
20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
7A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
20mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
14nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1295pF @ 10V
Leistung – Max:
1.5W
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
8-TSSOP
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. AO8810 AO8810#A
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie - -
Verpackung/Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Verpackung Tape & Reel (TR) Bulk
Produktstatus Not For New Designs Obsolete
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 7A 7A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 7A, 4.5V 20mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA 1.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V 14nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1295pF @ 10V 1295pF @ 10V
Leistung – Max 1.5W 1.5W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse - -
Qualifizierung - -
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 8-TSSOP 8-TSSOP

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